Tranzystory GaN HEMT na pasmo ISM przeznaczone do zastosowań w źródłach promieniowania mikrofalowego” – GaNISM

Celem projektu jest opracowanie krajowych tranzystorów na bazie azotku galu dla mikrofalowej elektroniki mocy przeznaczonych do wzmacniaczy dużej mocy wykorzystywanych w inteligentnych i wysokosprawnych źródłach promieniowania mikrofalowego.
W ramach projektu powstanie konstrukcja i technologia wytwarzania wielobramkowych tranzystorów mocy HEMT AlGaN/GaN (high electron mobility transistors) na podłożach z węglika krzemu.

 

DOFINANSOWANO ZE ŚRODKÓW BUDŻETU PAŃSTWA

DOTACJA CELOWA PREZESA CENTRUM ŁUKASIEWICZ

„Tranzystory GaN HEMT na pasmo ISM przeznaczone do zastosowań w źródłach promieniowania mikrofalowego” – GaNISM

DOFINANSOWANIE
1.039.500 zł

CAŁKOWITA WARTOŚĆ
1.155.000 zł

Potrzebujesz więcej informacji?
Skontaktuj się z nami

Dział Sprzedaży i Komercjalizacji (DSK)

+48 61 666 48 74

+48 887 788 714

sprzedaz@ilim.lukasiewicz.gov.pl

Call Now Button